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STGB8NC60KDT4_STMICROELECTRONICS/意法半導體_IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET湘達電子科技
- 詳細信息
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產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
STGB8NC60KDT4
- 功能描述:
IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市湘達電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱總
- 手機:
13266778686
- 詢價:
- 電話:
0755-83202753
- 地址:
深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
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