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SPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitance ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SPP03N60S5_03	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP03N60S5_09	文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
03N60S5	文件：2.51693 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
03N60S5	文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SPB03N60S5	文件：1.10328 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPB03N60S5	文件：552.73 Kbytes Page：12 Pages	HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：254.2 Kbytes Page：12 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC.	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：227.05 Kbytes Page：8 Pages	AL9910EV4Evaluationboardconnectiondiagram	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPP03N60S5
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	SPP03N60S5	INF	19+	TO-220	18628		詢價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON/英飛凌	2021+	TO-220	17404	原裝進(jìn)口假一罰十	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPP03N60S5	Infineon(英飛凌)	23+	TO-220	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	SPP03N60S5	Infineon	17+	TO-220	6200		詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	23+	T0-220	7936		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	16+	原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨	500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	SPP03N60S5	英飛凌	06+	TO-220	4500	原裝	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	2016+	TO-220	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市瑞新盛科技有限公司	SPP03N60S5	infineon		NA	20000	原裝正品	詢價(jià)

更多SPP03N60S5供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 15:08:00

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