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SIGC84T120R3

IGBT3Chip

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC84T120R3E

positivetemperaturecoefficient

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC84T120R3L

IGBT3Chip

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC84T120R3LE

positivetemperaturecoefficient

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIGC84T120R3LZJ

  • 功能描述:

    MOSFET CHIPLIEFERUNGEN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原封裝
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本公司只售原裝 支持實(shí)單
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原封裝
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原封裝
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QFN
2500
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更多SIGC84T120R3LZJ供應(yīng)商 更新時間2025-5-17 11:00:00