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SIGC84T120R3LE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SIGC84T120R3LE
廠商型號

SIGC84T120R3LE

參數(shù)屬性

SIGC84T120R3LE 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 75A DIE

功能描述

positive temperature coefficient
IGBT 1200V 75A DIE

文件大小

196.85 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-26 12:20:00

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SIGC84T120R3LE規(guī)格書詳情

SIGC84T120R3LE屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC84T120R3LE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SIGC84T120R3LEX1SA7

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A DIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SIGE
24+
QFN
35200
一級代理/放心采購
詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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ADI/亞德諾
2511
原封裝
66900
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)
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3000
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INFINEON/英飛凌
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SIGE
21+
QFN
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
SIGE
25+
QFP
4811
詢價(jià)
SIGE
2008
QFP
7500
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)