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SIGC84T120R3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SIGC84T120R3 |
| 參數(shù)屬性 | SIGC84T120R3 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 75A DIE |
| 功能描述 | IGBT3 Chip |
| 文件大小 |
83.11 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-30 18:22:00 |
| 人工找貨 | SIGC84T120R3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SIGC84T120R3規(guī)格書(shū)詳情
SIGC84T120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC84T120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SIGC84T120R3LEX1SA7
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 描述：
IGBT 1200V 75A DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ANADIGCS |
2138+ |
BGA |
8960 |
專營(yíng)BGA,QFP原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SIGE |
2008 |
QFP |
7500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價(jià) | ||
SIGE |
24+ |
QFN |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ANADIGCS |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
ADI/亞德諾 |
22+ |
66900 |
原封裝 |
詢價(jià) | |||
SIGE |
25+ |
QFN |
6500 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ADI/亞德諾 |
25+ |
原封裝 |
18000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
SIGE |
16+ |
QFN |
2500 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) |
