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SGF23N60UFTU	文件：277.97 Kbytes Page：7 Pages	600 V PT IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGF23N60UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-3P-3 整包類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 23A TO3PF	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SGH23N60UF	文件：246.89 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=12A) HighInputImpedance APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGH23N60UFD	文件：627.61 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGH23N60UFDTU	文件：633.22 Kbytes Page：7 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features ?HighSpeedSwitching ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGP23N60UF	文件：531.47 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGP23N60UFD	文件：587.03 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses. TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGP23N60UFTU	文件：416.83 Kbytes Page：7 Pages	LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=12A GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGS23N60UF	文件：539.21 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGS23N60UFD	文件：600.37 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGS23N60UFD	文件：594.89 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGS23N60UFDTU	文件：600.37 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW23N60UF	文件：531.07 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW23N60UFD	文件：586.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features ?Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SIHB23N60E	文件：218.8 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB23N60E	文件：322.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF23N60E	文件：319.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF23N60E	文件：181.4 Kbytes Page：8 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF23N60E	文件：183.99 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG23N60E	文件：216.87 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
SGF23N60UFTU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，12A
開(kāi)關(guān)能量：
115μJ（開(kāi)），135μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
17ns/60ns
測(cè)試條件：
300V，12A，23 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-3P-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：
TO-3PF
描述：
IGBT 600V 23A TO3PF

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	SGF23N60UFTU	FAIRCHILD/仙童	24+	TO3PF	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	SGF23N60UFTU	onsemi/安森美	新批次	TO-3PF	4500		詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	SGF23N60UFTU	onsemi(安森美)	23+	TO-3PF	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	SGF23N60UFTU	FAIRCHILD	2020+	TO3PF	18600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	SGF23N60UFTU	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO-220F	5980	只做原裝,優(yōu)勢(shì)渠道,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SGF23N60UFTU	ON	21+	N/A	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	SGF23N60UFTU	ON/安森美	2023+	SMD	15000	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市博億誠(chéng)科技有限公司	SGF23N60UFTU	FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR	20+	NA	2670	普通	詢價(jià)
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	SGF23N60UFTU	ON/安森美	2410+	TO-3PF	1512	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	SGF23N60UFTU	FAIRCHILD	22+23+	TO3PF	36708	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多SGF23N60UFTU供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 16:36:00

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