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SGP23N60UFTU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGP23N60UFTU
廠商型號

SGP23N60UFTU

參數(shù)屬性

SGP23N60UFTU 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 23A TO220-3

功能描述

Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12 A

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

416.83 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-18 19:25:00

SGP23N60UFTU規(guī)格書詳情

General Description

Fairchilds UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UF series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A

? High input impedance

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SGP23N60UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    115μJ(開),135μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/60ns

  • 測試條件:

    300V,12A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 23A TO220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
06+
TO-220
6000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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23+
原廠原封
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訂貨1周 原裝正品
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