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RJP63K2DPP-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP63K2DPP-M0
廠商型號

RJP63K2DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

151.02 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-9 20:26:00

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RJP63K2DPP-M0規(guī)格書詳情

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

4. Low leak current: ICES= 1 ?A max

5. Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP63K2DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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