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RJP63K2DPK-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RJP63K2DPK-M0
廠商型號(hào)

RJP63K2DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

160.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-10 10:37:00

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RJP63K2DPK-M0規(guī)格書詳情

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

* Low leak current: ICES= 1 ?A max

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJP63K2DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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