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RJP60D0DPP-M0-T2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RJP60D0DPP-M0-T2
廠商型號(hào)

RJP60D0DPP-M0-T2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

85.11 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-25 22:30:00

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RJP60D0DPP-M0-T2規(guī)格書詳情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

? Gate to emitter voltage rating ?30 V

? Pb-free lead plating and chip bonding

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJP60D0DPP-M0-T2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS
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RENESAS/瑞薩
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SOT-263
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TO-220F
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