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RGT30NS65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGT30NS65D
廠商型號

RGT30NS65D

參數(shù)屬性

RGT30NS65D 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 30A 133W TO-263S

功能描述

650V 15A Field Stop Trench IGBT

文件大小

789.58 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 11:12:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RGT30NS65DGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    18ns/64ns

  • 測試條件:

    400V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LPDS

  • 描述:

    IGBT 650V 30A 133W TO-263S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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