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RGT16BM65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
RGT16BM65D |
參數(shù)屬性 | RGT16BM65D 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT |
功能描述 | 650V 8A Field Stop Trench IGBT |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
943.68 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Rohm |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ROHM【羅姆】 |
中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-7 17:34:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
RGT16BM65DTL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,8A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
13ns/33ns
- 測(cè)試條件:
400V,8A,10歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-252
- 描述:
IGBT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ROHM/羅姆 |
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ROHM |
21+ |
- |
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ROHM/羅姆 |
22+ |
TO263 |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
22+ |
SMDDIP |
50000 |
原裝正品.假一罰十 |
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詢價(jià) | ||
Rohm Semiconductor |
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LPDS (TO263S) |
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Rohm Semiconductor |
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