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RGT16NS65D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
RGT16NS65D |
參數(shù)屬性 | RGT16NS65D 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 16A 94W TO-263S |
功能描述 | 650V 8A Field Stop Trench IGBT |
文件大小 |
846 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rohm |
企業(yè)簡稱 |
ROHM【羅姆】 |
中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-6 11:11:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
RGT16NS65DGTL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,8A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
13ns/33ns
- 測試條件:
400V,8A,10歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
LPDS
- 描述:
IGBT 650V 16A 94W TO-263S
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(羅姆) |
23+ |
TO263 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA |
11200 |
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詢價(jià) | ||
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ROHM |
SMDDIP |
185600 |
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詢價(jià) | |||
ROHM/羅姆 |
22+ |
TO263 |
41061 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Rohm |
20+ |
N/A |
987 |
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詢價(jià) | ||
ROHM Semiconductor |
1710 |
295 |
Rohm授權(quán)代理,自營現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Rohm Semiconductor |
24+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片 |
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ROHM |
21+ |
LPDS;TO-263(D2-PAK) |
1000 |
全新原裝鄙視假貨15118075546 |
詢價(jià) |