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PTF081301E中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF081301E
廠商型號

PTF081301E

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 869 - 960 MHz

文件大小

289.44 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-9 11:14:00

PTF081301E規(guī)格書詳情

Description

The PTF081301E and PTF081301F are 130-watt, internally-matched GOLDMOS FETs intended for EDGE and CDMA applications in the 869 to 960 MHz bands. Thermally-enhancedpackaging provides the coolest operation available. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Thermally-enhanced packages

? Broadband internal matching

? Typical EDGE performance

- Average output power = 65 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 150 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 55

? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 130 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF081301E

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 869 - 960 MHz

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
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