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PTF080901中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF080901
廠商型號

PTF080901

功能描述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz

文件大小

205.95 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 11:16:00

PTF080901規(guī)格書詳情

Description

The PTF080901 is a 90 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Broadband internal matching

? Typical EDGE performance

- Average output power = 45 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 120 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 60

? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 90 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF080901

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-502A
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
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23+
N
11200
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON
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