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PTF080601中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF080601
廠商型號

PTF080601

功能描述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

文件大小

293.73 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-18 10:23:00

PTF080601規(guī)格書詳情

Description

The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Broadband internal matching

? Typical EDGE performance

- Average output power = 30W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 90W

- Gain = 17dB

- Efficiency = 60

? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28V, 60 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF080601

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
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