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2N2222AU

Marking：P1；Package：SOT-323；General Purpose Transistor

GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC-323/SC?70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features ?WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequ

FS

First Silicon Co., Ltd

74AUP2G241GN

Marking：p1；Package：SOT1116；Low-power dual buffer/line driver; 3-state

1.Generaldescription The74AUP2G241providesadualnon-invertingbuffer/linedriverwith3-stateoutputs.The3-state outputsarecontrolledbytheoutputenableinputs1OEand2OE.AHIGHlevelatpin1OEcauses output1Ytoassumeahigh-impedanceOFF-state.ALOWlevelatpin2OEcauseso

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

74AUP2G241GS

Marking：p1；Package：SOT1203；Low-power dual buffer/line driver; 3-state

1.Generaldescription The74AUP2G241providesadualnon-invertingbuffer/linedriverwith3-stateoutputs.The3-state outputsarecontrolledbytheoutputenableinputs1OEand2OE.AHIGHlevelatpin1OEcauses output1Ytoassumeahigh-impedanceOFF-state.ALOWlevelatpin2OEcauseso

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BFG21W

Marking：P1；Package：SOT-343R；UHF power transistor

DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconbipolarpowertransistorwithburiedlayerforlowvoltagemediumpowerapplicationsencapsulatedinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Highefficiency ?1.9GHzoperatingarea ?Linearandnon-linearoperation. APP

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFG21W

Marking：P1；Package：SOT-343R；RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ESD05V10D-LC

Marking：P1；Package：DFN-10-4.1x2x0.5-0.8；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

Features 125WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20μs) ProtectstwoorfourI/Olines Lowcapacitance:0.2pFtypical(I/OtoI/O) Lowoperatingvoltage:5V RoHSCompliant IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs) IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs)

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

FCX591

Marking：P1；Package：SOT-89；PNP Silicon Planar Medium Power High Perormance Transistor

FEATURES ●Complementarytype:FCX491.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

FCX591

Marking：P1；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Powerdissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

FCX591

Marking：P1；Package：SOT-89；PNP Transistors

■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-1A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-60V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

FMP1

Marking：P1；Package：SMD5；Switching diode

Features Highreliability Smallmoldtype HighSpeedswitching Application Highspeedswitching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    P140

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    RT1P140S,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-57

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.3

詳細參數(shù)

  • 型號：

    P1

  • 制造商：

    JST Manufacturing

  • 功能描述：

    X[u 3.3mm 0.25 to 1.65mm2 3.3~8.0mm

  • 功能描述：

    X[u 3.3mm 0.25 to 1.65mm2 3.3~8.0mm Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MPS
2021+
QFN10
42307
進口MPS原裝現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-363
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
Apex
1824+
NA
16
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
HITACHI/日立
22+
SOT-423
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
 詢價
JST/日壓
2420+
/
520715
一級代理,原裝正品!
 詢價
DIODES/SEMTECH
24+
DFN2020
35200
一級代理/放心采購
 詢價
MICREL/麥瑞
24+
BGA
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
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MICREL/麥瑞
2021+
BGA
100500
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MICREL/麥瑞
22+
BGA
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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NA
23+
DFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多P1供應商 更新時間2025-1-31 14:03:00

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