BFG21W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFG21W |
| 參數(shù)屬性 | BFG21W 封裝/外殼為SC-82A，SOT-343；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4 |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
130 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-29 9:20:00 |
BFG21W規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BFG21W,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
4.5V
- 頻率 - 躍遷：
18GHz
- 功率 - 最大值：
600mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
500mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-82A，SOT-343
- 供應(yīng)商器件封裝：
CMPAK-4
- 描述：
RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2020+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
SOT343 |
11000 |
原裝現(xiàn)貨特價熱銷 |
詢價 | ||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
50051 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
PHILIPS |
23+24 |
SOT343-4 |
29650 |
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詢價 | ||
MICROCHIP/微芯 |
2406+ |
33600 |
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詢價 | |||
NXP(恩智浦) |
23+ |
N/A |
6000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
NA |
10658 |
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詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
2022 |
SOT343 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT343 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
NXP(恩智浦) |
21+ |
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詢價 |
