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NTH4L160N120SC1中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L160N120SC1
廠商型號

NTH4L160N120SC1
功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
文件大小

356.61 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-2 14:37:00
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NTH4L160N120SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 160 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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