NTH4L060N065SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	NTH4L060N065SC1
功能描述	Silicon Carbide SiC MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
文件大小	319.24 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-7-28 20:00:00
人工找貨	NTH4L060N065SC1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 44 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC)

? Low Capacitance (Coss = 133 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Power Supplies)

? Energy Storages

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