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NTBG060N090SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 60 mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=88nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=115pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?F

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG060N090SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 900 V, 60 m, 44 A

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG060N090SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 60 mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=88nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=115pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?F

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTHL060N090SC1

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel900V,60m,46A

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NTHL060N090SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,60mohm,900V,M2,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecond

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVBG060N090SC1

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVHL060N090SC1

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
23+
D2PAK7 (TO-263-7L HV)
100000
全新原裝
 詢(xún)價(jià)
onsemi
24+
D2PAK-7
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢(xún)價(jià)
onsemi(安森美)
23+
D2PAK-7
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢(xún)價(jià)
ON
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
FSC
23+
原廠原封
74400
訂貨1周 原裝正品
 詢(xún)價(jià)
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
 詢(xún)價(jià)
onsemi
23+
D2PAK-7
1356
原廠正品現(xiàn)貨SiC MOSFET全系列
 詢(xún)價(jià)
ON
22+
NA
646
原裝正品支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
23+/22+
960
原裝進(jìn)口訂貨7-10個(gè)工作日
 詢(xún)價(jià)
更多NTBG060N090SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00

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