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NP50P06KDG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P06KDG

-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P06KDG-E1-AY

-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P06KDG_15

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06SDG

-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=16.5m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23.0m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SQD50P06

AutomotiveP-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQM50P06

AutomotiveP-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TS50P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TS50P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TS50P06G

50A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

UTT50P06

-50A,-60VP-CHANNEL(D-S)POWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP50P06KDG

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NEC
2024
TO-263
503169
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
 詢價(jià)
NEC
24+
TO-252
8866
詢價(jià)
NEC
1415+
TO-252
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
 詢價(jià)
NEC
23+
TO-252
11716
全新原裝
 詢價(jià)
RENESAS
24+
TO-263
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
23+
TO-263
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
NEC
18+
TO-252
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價(jià)
Renesas
1822+
TO-263
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
TO-252
 詢價(jià)
Renesas
18+
TO-263
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
 詢價(jià)
更多NP50P06KDG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-27 16:18:00

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