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NP50P06KDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E1-AY

-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06KDG-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多NP50P06KDG-E1-AYNOTE供應商 更新時間2025-7-18 11:04:00

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