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NP50P06KDG-E2-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP50P06KDG-E2-AY
廠商型號

NP50P06KDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

184.9 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-17 18:58:00

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NP50P06KDG-E2-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

?Super low on-state resistance

RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= ?10 V, ID= ?25 A)

RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= ?4.5 V, ID= ?25 A)

?Low input capacitance

Ciss = 5000 pF TYP.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP50P06KDG-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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