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NGTB30N60L2WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGTB30N60L2WG
廠商型號(hào)

NGTB30N60L2WG
參數(shù)屬性

NGTB30N60L2WG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A TO247
功能描述

N-Channel IGBT
IGBT 600V 30A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

765.89 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-23 18:05:00
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NGTB30N60L2WG規(guī)格書(shū)詳情

NGTB30N60L2WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N60L2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB30N60L2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    310μJ（開(kāi)），1.14mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    100ns/390ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，30A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 30A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價(jià)
PTIF
2310+
SOP/DIP
3699
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
 詢價(jià)
PTIF
P
9999999999
30
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
27825
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
onsemi
兩年內(nèi)
NA
90
實(shí)單價(jià)格可談
 詢價(jià)
ON/安森美
25+
TO-247
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2402+
TO-2473
8324
原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)!
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON
22+
TO-247
8900
英瑞芯只做原裝正品!!!
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-247
18000
原裝正品
 詢價(jià)

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