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NGTB30N120L2WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB30N120L2WG
廠商型號(hào)

NGTB30N120L2WG

參數(shù)屬性

NGTB30N120L2WG 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 534W TO247

功能描述

IGBT - Field Stop II
IGBT 1200V 60A 534W TO247

文件大小

105.94 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-7 20:00:00

NGTB30N120L2WG規(guī)格書詳情

NGTB30N120L2WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N120L2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N120L2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 534W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
NA/
3280
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
PTIF
P
9999999999
2
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
ON
23+
TO-247
30
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON
TO-247
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
N/A
589610
新到現(xiàn)貨 原廠一手貨源 價(jià)格秒殺代理!
詢價(jià)
PTIF
2310+
SOP/DIP
3699
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
詢價(jià)
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價(jià)