NGTB30N120FL2WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    NGTB30N120FL2WG

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    62000

  • 產(chǎn)品封裝:

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-24 11:06:00

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原廠(chǎng)料號(hào):NGTB30N120FL2WG

一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

  • 芯片型號(hào):

    NGTB30N120FL2WG

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    112.41 kb

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT - Field Stop II

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N120FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.6mJ(開(kāi)),700μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    98ns/210ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    現(xiàn)代芯城(深圳)科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    董先生 李先生

  • 手機(jī):

    19924492152

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-82542579 19924492152

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場(chǎng)C座26J