NGB8206ANSL3G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Littelfuse Inc.

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原廠料號:NGB8206ANSL3G品牌:Littelfuse Inc.

資料說明:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

NGB8206ANSL3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的NGB8206ANSL3G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    ngb8206ansl3g

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NGB8206ANSL3G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/5μs

  • 測試條件:

    300V,9A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

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