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NGTB15N60EG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NGTB15N60EG品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT 600V 30A 117W TO220-3

NGTB15N60EG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-220-3的NGTB15N60EG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ngtb15n60eg

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 30A 117W TO220-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB15N60EG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    900μJ（開），300μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    78ns/130ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，15A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 117W TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ONSemiconductor
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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ON
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ON Semiconductor
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ON/安森美
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TO-220-3
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公司只做原裝正品
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ON/安森美
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ON Semiconductor
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TO220
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ON/安森美
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TO-220-3
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原裝正品，支持實(shí)單
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ON/安森美
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TO-220
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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