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APT44GA60BD30C_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-美高森美

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原廠料號：APT44GA60BD30C品牌：Microsemi Corporation

資料說明：IGBT 600V 78A 337W TO247

APT44GA60BD30C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝TO-247-3的APT44GA60BD30C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    apt44ga60bd30c

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 資料說明：

    IGBT 600V 78A 337W TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    APT44GA60BD30C

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 8?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，26A

  • 開關(guān)能量：

    409μJ（開），450μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    16ns/102ns

  • 測試條件：

    400V，26A，4.7 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 78A 337W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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