首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第146頁(yè)>TIG062E8-TL-H>詳情

TIG062E8-TL-H_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：TIG062E8-TL-H品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT 400V ECH8

TIG062E8-TL-H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SMD，扁平引線的TIG062E8-TL-H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    tig062e8-tl-h

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 400V ECH8

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIG062E8-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    8V @ 3V，100A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-ECH

  • 描述：

    IGBT 400V ECH8

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