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NE350184C-T1A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

NE350184C-T1A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1A-A

Marking：A；Package：84C；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE350184C-T1

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTORK-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES ?Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz ?Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS ?20GHz-bandDBSLNB ?OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE350184C-T1A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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