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NE350184C-T1A-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE350184C-T1A-A
廠商型號(hào)

NE350184C-T1A-A

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

絲印標(biāo)識(shí)

A

封裝外殼

84C

文件大小

223.26 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-13 16:49:00

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NE350184C-T1A-A規(guī)格書詳情

FEATURES

? Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

? Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

? 20 GHz-band DBS LNB

? Other K-band communication systems

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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