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NE350184C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE350184C
廠商型號

NE350184C
參數(shù)屬性

NE350184C 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
封裝外殼

微型-X 陶瓷 84C
文件大小

269.44 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-29 23:03:00

NE350184C規(guī)格書詳情

NE350184C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE350184C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

? Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

? Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

? 20 GHz-band DBS LNB

? Other K-band communication systems

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE350184C

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    20GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.7dB

  • 封裝/外殼：

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84C

  • 描述：

    FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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