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NDP03N60ZG	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
03N60	文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AIHD03N60RF	文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CJP03N60	文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
FMC03N60E	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC03N60E	文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
NDP03N60ZG
制造商：
ONSEMI
制造商全稱：
ON Semiconductor
功能描述：
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	NDP-04UV	臺灣圜達	21+	DIP	35000	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方	詢價
深圳市弘揚芯城科技有限公司	NDP-04UV	圜達	23+	插件	6000	誠信服務(wù)，絕對原裝原盤	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	NDP05N50Z	O	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NDP05N50Z	VB	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NDP05N50Z	O	TO-220	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NDP05N50Z	O	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NDP05N50Z	O	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	NDP05N50Z2SK3305	NEC	2023+	TO-220	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NDP05N50Z2SK3305	IR	23+	D2-pak	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	NDP05N50Z2SK3305	NEC	24+	TO-TO-220	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價

更多NDP03N60ZG供應(yīng)商更新時間2024-10-30 13:02:00

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