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NAND01GW3B2CN6E集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NAND01GW3B2CN6E
廠商型號(hào)

NAND01GW3B2CN6E
參數(shù)屬性

NAND01GW3B2CN6E 封裝/外殼為48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
封裝外殼

48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
文件大小

711.53 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

62 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-20 11:20:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NAND01GW3B2CN6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
2511
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