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NAND01GW3B2CN6E集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NAND01GW3B2CN6E
廠商型號(hào)

NAND01GW3B2CN6E

參數(shù)屬性

NAND01GW3B2CN6E 封裝/外殼為48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

封裝外殼

48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

文件大小

711.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

62 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-19 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND01GW3B2CN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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