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MTP10N10EL

TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

LogicLevelTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP10N10EL

Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N??hannel TO??20

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP10N10ELG

Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N??hannel TO??20

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP10N10ELG

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

MTP10N10M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

PHD10N10E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHD10N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplicatio

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP10N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PJD10N10

100VN-ChannelMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

SPB10N10

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MTP10N10EL

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 10A Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MTP10N10EL供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 16:00:00