MRF8372R2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

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廠家型號：
MRF8372R2
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
MICROSEMI/美高森美
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-25 15:45:00

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原廠料號：MRF8372R2品牌：Microsemi Corporation

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MRF8372R2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MRF8372R2晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MRF8372R2
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
MOTOROLA【摩托羅拉】詳情
廠商全稱：
Motorola, Inc
中文名稱：
加爾文制造公司
內容頁數(shù)：
6 頁
文件大?。?/span>
101.2 kb
資料說明：
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
MRF8372R2
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
16V
頻率 - 躍遷：
870MHz
增益：
8dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
2.2W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

MRF8372R2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF8372R2

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供應商

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