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MRF8372G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF8372G參考圖片

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  • 廠家型號:

    MRF8372G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    MICROSEMI/美高森美

  • 庫存數(shù)量:

    9350

  • 產(chǎn)品封裝:

    8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-25 15:45:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:MRF8372G品牌:Microsemi Corporation

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證

MRF8372G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)/8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的MRF8372G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    MRF8372G

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ADPOW詳情

  • 廠商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    3 頁

  • 文件大?。?/span>

    62.55 kb

  • 資料說明:

    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8372G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    16V

  • 頻率 - 躍遷:

    870MHz

  • 增益:

    8dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    2.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    許小姐

  • 手機:

    13530520535

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83201583/83214703

  • 傳真:

    0755-22669259

  • 地址:

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室