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IXXQ30N60B3M

Advance Technical Information

IXYS

IXYS Corporation

IXXQ30N60B3M

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT

IXYS

IXYS Corporation

G30N60B3

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G30N60B3D

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

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Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60B3

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60B3D

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate

Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60B3D

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT withAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabip

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IXXH30N60B3

XPTTM600VIGBT

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXXQ30N60B3M

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    XPT?, GenX3?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，24A

  • 開關(guān)能量：

    550μJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    23ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，24A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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更多IXXQ30N60B3M供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-1 15:00:00

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