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IXYH40N120B3

1200V XPTTM IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXYH40N120B3

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 96A 577W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXYH40N120B3D1

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode

ExtremeLightPunchThroughIGBTfor5-30kHzSwitching Features ?Optimizedfor5-30kHZSwitching ?SquareRBSOA ?PositiveThermalCoefficientof Vce(sat) ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?AvalancheRated ?InternationalStandardPackage Advantages ?HighPowerDensity ?LowGate

IXYS

IXYS Corporation

IXYH40N120B3D1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 86A 480W TO247

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXYH40N120B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?, XPT?

  • 包裝：

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    2.7mJ（開），1.6mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    22ns/177ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247（IXTH）

  • 描述：

    IGBT 1200V 96A 577W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXYH40N120B3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-23 10:18:00

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