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HGTG30N60B3D中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HGTG30N60B3D
廠商型號

HGTG30N60B3D

參數(shù)屬性

HGTG30N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A TO247-3

功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

109.09 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-1 19:06:00

HGTG30N60B3D規(guī)格書詳情

The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49170. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.

Features

? 60A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG30N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    550μJ(開),680μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    36ns/137ns

  • 測試條件:

    480V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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TO2473
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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19+
10000
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TO-247
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