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HGTG30N60A4D中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HGTG30N60A4D
廠商型號

HGTG30N60A4D

參數(shù)屬性

HGTG30N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 463W TO247

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with

文件大小

191.86 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-1 19:06:00

HGTG30N60A4D規(guī)格書詳情

The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode

used in anti-parallel is the development type TA49373.

Features

? >100kHz Operation At 390V, 30A

? 200kHz Operation At 390V, 18A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . . 60ns at TJ= 125°C

? Low Conduction Loss

? Temperature Compensating SABER? Model www.fairchildsemi.com

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG30N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    280μJ(開),240μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/150ns

  • 測試條件:

    390V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 463W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價
FSC
TO-247
68500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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FAIRCHILD/仙童
24+
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正規(guī)渠道原裝正品
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23+
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10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務(wù)型企業(yè)
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