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IXTQ76N25T

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ76N25T

N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ76N25T

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTI76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTP76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTQ76N25T

  • 功能描述：

    MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-3P
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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25610
原裝絕對有貨
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24+
TO-3P
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全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
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更多IXTQ76N25T供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 14:14:00

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