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IXXH40N65B4

Preliminary Technical Information

IXYS

IXYS Corporation

IXXH40N65B4

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-247-3 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 120A 455W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXXH40N65B4D1

Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXXH40N65B4H1

XPTTM 650V IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXXH40N65B4D1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXXH40N65B4H1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-2 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 120A 455W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXXH40N65B4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX4?, XPT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類(lèi)型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.4mJ(開(kāi)),560μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    28ns/144ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 455W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXXH40N65B4供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-23 10:18:00