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IXXH60N65B4H1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=60A ·ShortCircuitCapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·PowerInverters ·SMPS ·BatteryChargers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXXH60N65B4H1

Preliminary Technical Information

IXYS

IXYS Corporation

IXXH60N65B4H1

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 116A 380W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXXH60N65B4H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX4?, XPT?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    3.13mJ(開),1.15mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    37ns/145ns

  • 測試條件:

    400V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247(IXXH)

  • 描述:

    IGBT 650V 116A 380W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXXH60N65B4H1供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 10:06:00