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IXTP02N120P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedfo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP02N120P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

IXTY02N120P

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTY02N120P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGB02N120

FastIGBTinNPT-technologyLowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGD02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGI02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTP02N120P

  • 功能描述：

    MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-220
5000
原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
Littelfuse/IXYS
23+
TO-220
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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IXYS
1931+
N/A
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IXYS
1809+
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1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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IXYS
21+
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只做原裝正品,不止網(wǎng)上數(shù)量,歡迎電話微信查詢!
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IXYS/艾賽斯
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TO-220
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IXYS
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IXYS
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TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多IXTP02N120P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 14:14:00

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