SGI02N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SGI02N120 |
| 參數(shù)屬性 | SGI02N120 封裝/外殼為TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3 |
| 功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology 40 lower Eoff compared to previous generation |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
382.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-30 17:08:00 |
SGI02N120規(guī)格書詳情
SGI02N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGI02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SGI02N120XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，2A
- 開關(guān)能量：
220μJ
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/260ns
- 測(cè)試條件：
800V，2A，91 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO262-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO-3PF |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
3936 |
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詢價(jià) | ||
INF |
1535+ |
2000 |
詢價(jià) | ||||
ST |
22+ |
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16900 |
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SG |
23+ |
DIP8 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO262-3-1 |
8866 |
詢價(jià) | |||
SPANSION/飛索半導(dǎo)體 |
22+ |
TSOPI |
17500 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2021+ |
TO263 |
100500 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
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