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IXTA60N20T

N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated

N-ChannelEnhancementModeForPDPDrivers AvalancheRated Features HighCurrentHandlingCapability 175°COperatingTemperature AvalancheRated FastIntrinsicRectifier LowRDS(on) Applications DC-DCConverters BatteryChargers Switch-ModeandResonant-Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTA60N20T

Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

60N20

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on) ?RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ?Easytomount ?Spacesav

IXYS

IXYS Corporation

FIR60N20ANG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR60N20PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

HM60N20

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM60N20D

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IXFC60N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFC60N20

HiPerFETMOSFETISOPLUS220TM

HiPerFET?MOSFETISOPLUS220? ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOS?Family Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintot

IXYS

IXYS Corporation

IXFH60N20

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on) ?RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ?Easytomount ?Spacesav

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTA60N20T

  • 功能描述：

    MOSFET 60 Amps 200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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IXYS/艾賽斯
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2022
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80000
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更多IXTA60N20T供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 16:56:00

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