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IXFR24N50	文件：34.31 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface) (ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementModeHighdV/dt,Lowtrr,HDMOS?Family Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR24N50	文件：330.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFR24N50Q	文件：79.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface) (ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementModeHighdV/dt,Lowtrr,HDMOS?Family Features SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT24N50	文件：158 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT24N50Q	文件：134.05 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features IXYSadvancedlowQgprocess Internationalstandardpackages LowRDS(on) UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Fastswitching MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFZ24N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH24N50B	文件：67.73 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-247AD ?HighfrequencyIGBT ?Highcurrenthandlingcapability ?3rdgenerationHDMOS?process ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchoppers	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH24N50	文件：143.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IXTH24N50	文件：107.4 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH24N50L	文件：383.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTH24N50L	文件：117.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH24N50Q	文件：565.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH24N50Q	文件：378.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTM24N50	文件：107.4 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM24N50	文件：143.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IXTT24N50Q	文件：565.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS24N50ANH-O-AN-N-B	文件：1.11036 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS24N50H	文件：1.11036 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS24N50WH-O-W-N-B	文件：1.11036 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MSAFX24N50A	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 500Volts24Amps230m? Features ·Ultrafastbodydiode ·Ruggedpolysilicongatecellstructure ·IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ·Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ·Lowpackageinductance ·Verylowthermalresistance ·	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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詳細參數(shù)

型號：
IXFR24N50
功能描述：
MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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